三星開發出第一個基於10奈米 FinFET製程的SRAM

據韓國媒體報導,三星電子已經開發出了全球第一個基於10奈米 FinFET製程的SRAM,而這是一種新製程走向成熟的最關鍵一步。相比之下,Intel、台積電分別還停留在14奈米、16奈米。 SRAM即靜態隨機存取存儲器,比我們常見的DRAM(動態隨機存取存儲器)更快,常用於CPUCache等,也是研發測試新製程的必經前提步驟。

三星在主板提交到ISSCC 2016國際固態電路大會(2016年1月31日開幕)的一篇論文中透露,三星10奈米 SRAM的容量為128MB,單元面積僅0.040平方微米,比起自家14奈米 SRAM(0.064平方微米)縮小了多達37.5%。

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