富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍

日本富士通公司日前宣布與美國Mantero公司達成合作協議,雙方將共同推進碳奈米管記憶體(NRAM)研發、製造,這種記憶體的速度號稱是普通Flash的1000倍,預計2018年底正式推出產品,製程製程是55nm。

在奈米技術研究領域,碳奈米管(也叫富勒烯,簡稱CNT)是一種很獨特的材料,直徑只有人類頭髮的5萬分之一,能導熱導電,硬度是鋼鐵的50倍,話說之前就經常聽到以碳奈米管為基礎的各種高科技,包括各種神器的電池。在存儲領域,碳奈米管通過矽基沉底也能實現0、1變化,因此也可以存儲晶片,而且是非易失性的,斷電也不會清除數據。

Read more
Loading