富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍

日本富士通公司日前宣布與美國Mantero公司達成合作協議,雙方將共同推進碳奈米管記憶體(NRAM)研發、製造,這種記憶體的速度號稱是普通Flash的1000倍,預計2018年底正式推出產品,製程製程是55nm。

在奈米技術研究領域,碳奈米管(也叫富勒烯,簡稱CNT)是一種很獨特的材料,直徑只有人類頭髮的5萬分之一,能導熱導電,硬度是鋼鐵的50倍,話說之前就經常聽到以碳奈米管為基礎的各種高科技,包括各種神器的電池。在存儲領域,碳奈米管通過矽基沉底也能實現0、1變化,因此也可以存儲晶片,而且是非易失性的,斷電也不會清除數據。

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IBM利用碳奈米管取代矽晶體拯救摩爾定律

10月2日消息,據《財富》網路版報導,IBM已經開發了一種技術,將有助於半導體產業繼續生產更快、效能比更高、集成度更高的晶片。

IBM研究人員發明了在碳奈米管上移動電子的技術。碳奈米管直徑是人類頭髮的萬分之一,導電能力非常強。 IBM週四公佈的突破是,它發明了一種技術,能在原子量級上把特定類型金屬與碳奈米管結合,創建一個在不影響晶片性能的情況下在碳奈米管上移動電子所需要的極其微小的接觸電。這是一個關鍵的突破,未來研究人員可以利用碳奈米管取代矽晶體管

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