GlobalFoundries:2019年量產12奈米 FD-SOI製程 性能等同於10奈米 FinFET

GlobalFoundries:2019年量產12奈米 FD-SOI製程

GlobalFoundries與三星聯手開發14奈米 FinFET,並獲得AMD CPU/GPU全面採納,又與AMD簽訂五年晶圓供應合約共同開發7奈米製程,GlobalFoundries最近發展得很順利,接下來又要進軍12奈米製程了,但走的是道路有些特殊:FD-SOI(全耗盡型絕緣層上矽)。

目前半導體製程已經全面從2D電晶體轉向3D電晶體,Intel、台積電、三星以及GlobalFoundries都在開發中。

另一方面,AMD雖然製程上一直落後,但有個獨門密技那就是SOI(絕緣層上矽),當年與藍色巨人IBM合作開發,可以將製程提高半代水平,其優秀表現也是有目共睹的。

不過,AMD進入32奈米之後就拋棄了SOI,不過獨立後的GlobalFoundries一直保留著SOI技術,還收購了IBM的相關技術,後者最新的Power8就是採用22奈米 SOI製程製造的。

GlobalFoundries之前已經全球第一家實現22奈米 FD-SOI(22FDX),號稱性能功耗指標堪比22奈米 FinFET,但是製造成本與28奈米相當,適用於物聯網、行動晶片、RF射頻、網路晶片等,已經拿下50多家客戶,2017年第一季度量產。

現在,GlobalFoundries又宣布了全新的12奈米 FD-SOI(12FDX)製程,計劃2019年投入量產。

GlobalFoundries表示,12FDX製程的性能等同於10奈米 FinFET,但是功耗和成本低於16奈米 FinFET,相比現有FinFET製程性能提升15%,功耗降低50%,光罩成本比10奈米 FinFET減少40%!

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它還將提供業界最寬泛的動態電壓,通過軟體控制電晶體大大提升設計彈性,在高負載時可提供最高性能,靜態時則具備更高能效。

該製程也是針對低功耗平台的,包括行動計算、5G網路、人工智慧、自動駕駛等等,NXP半導體、VeriSilicon半導體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

GlobalFoundries正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進12FDX製程的研發,預計2019年上半年完成首批流片,並在當年投入量產。

GlobalFoundries現在是雙管齊下:低功耗方面主打22/12DFX,尤其後者可以替代10奈米 FinFET;高性能方面直接進軍7奈米 FinFET。

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