富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍

富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍

日本富士通公司日前宣布與美國Nantero公司達成合作協議,雙方將共同推進碳奈米管記憶體(NRAM)研發、製造,這種記憶體的速度號稱是普通Flash的1000倍,預計2018年底正式推出產品,製程製程是55nm。

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在奈米技術研究領域,碳奈米管(Carbon Nanotube ,簡稱CNT)是一種很獨特的材料,直徑只有人類頭髮的5萬分之一,能導熱導電,硬度是鋼鐵的50倍,話說之前就經常聽到以碳奈米管為基礎的各種高科技,包括各種神器的電池。在存儲領域,碳奈米管通過矽基沉底也能實現0、1變化,因此也可以存儲晶片,而且是非易失性的,斷電也不會清除數據。

NRAM存儲的優勢

相比普通Flash,NRAM存儲晶片的優勢太多了,讀寫速度是普通Flash的1000倍(Nanteo官網上說是1000倍,圖表上是100倍),同時功耗更低,可靠性、耐用性更強,成本更低。

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Nantero這次與富士通合作,後者將把NRAM記憶體整合到自家晶片中,預計2018年底推出,製程製程為55nm。

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不過話說回來,NRAM還是新技術,Nantero公司從2006年就說生產碳奈米管記憶體了,但是一直沒什麼進展。即便是跟富士通達成合作了,量產的NRAM晶片還是256Gb(32MB)大小的,容量還是太小了,只適合一些嵌入式領域。

富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍
富士通將推碳奈米管記憶體:55nm製程 比Flash快一千倍

 

出處:cnbeta.com

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