VR力迫顯示卡記憶體發展 GDDR6將於2018年問世

VR力迫顯示卡記憶體發展 GDDR6將於2018年問世

VR和遊戲產業正在改變顯示卡記憶體的製程,並在促進新型顯示卡記憶體的發展。對於用於大部分顯示卡的GDDR5顯示卡記憶體來說,其下個迭代被稱為GDDR6。而據三星一名主管Jin Kim在本週召開的Hot Chips conference中透露,這個顯示卡記憶體將會在2018年問世。 GDDR6將會比現在的顯示卡記憶體更快,更節能,可達到約為14Gbps。目前GDDR5的速率為10Gbps。

儘管三星表示GDDR6會在2018年亮相,但新型顯示卡記憶體通常都需要更長的時間才會推出市場,所以這是一個比較積極的預測。因為顯示卡需要為新的顯示卡記憶體重新設計,元件需要驗證和測試,所有這些都需要時間。

像VR和遊戲這樣的應用都需要大量的GPU計算以提供最佳的圖形品質。像Oculus Rift和HTC Vive這樣的頭顯只能通過高階顯示卡運行。而GDDR6將會幫助GPU提高性能表現,並會降低功耗。

對GPU性能的需要已經在改變GPU。像HBM(High-Bandwidth Memory)和GDDR5X這樣可提供更快頻寬的新型顯示卡記憶體已經應用在英偉達和AMD的新顯示卡上了。

配備HBM或其他新型顯示卡記憶體的GPU的價格目前非常高。但GDDR6,正如GDDR5一樣,可用於價格更低的GPU上。同時GPU從GDDR5過度到GDDR6要比從GDDR5過度到HBM容易,這是因為記憶體子系統的問題。

三星很明顯正在押寶GDDR6,因為其競爭對手美國美光(Micron)正在支持GDDR5X。英偉達的GeForce GTX1080 GPU也在使用GDDR5X顯示卡記憶體。另外,三星同時在支持HBM。

GPU的速率同時也在提速,這推動了對顯示卡記憶體速率的需求。更快的顯示卡記憶體可以幫助GPU更快的繪圖圖像,而圖像可以通過像英偉達的NVLink或即將上市的PCI-Express 4.0這樣的更高速的互聯通道來傳輸到記憶體和CPU中。

製程的進步也增加了對新型顯示卡記憶體的需求。基於nVidia Pascal和AMD 北極星架構的GPU正在使用新的技術來進行生產,其中包括FinFET製程(鰭式場效電晶體),這是一個放置層疊晶片的3D架構。

像HBM和GDDR6這樣的新型顯示卡記憶體正是為這樣的晶片架構而設計的,而GDDR5顯示卡記憶體是根據並不使用層疊晶片的舊款GPU而設計的。

 

出處:YiViAn

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