不曾注意的小細節:iPhone 6s存儲性能為何大幅提升?

不曾注意的小細節:iPhone 6s存儲性能為何大幅提升?

每一年,我們都希望行動設備的速度有大幅提升、同時能源效率也變得更高。相信很人都會把關注點放在更快的處理器、更多的RAM、更大的內部存儲、以及更高容量的電池上,但卻忽略了某些不起眼的地方——比如存儲性能。作為行動設備的“硬碟”,廠家似乎不願多談。但是對於好奇的人們來說,熱門Android手機和iPhone之間,又可以拉出多大的差距呢?

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外媒AnandTech特地對包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7 / S6 / S6 edge S5、小米Note Pro、華為P8 / Mate 8 / 榮耀5X、LG G4、Google Nexus 5X / 6P在內的十餘款設備進行了磁碟性能測試。

令人驚訝的是,在內部Flash循序讀寫測試中,iPhone 6s Plus均遠遠高於其它Android競爭對手。

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循序寫入測試中,排名前三的分別為iPhone 6s Plus(163.20 MB/s)、三星Galaxy S7(64.49 MB/s)、以及Galaxy S6 / S6 edge(並列40.69 MB/s)。

在循序讀取測試中,排名前三的也是這幾個,其中iPhone 6s Plus的成績為402.35 MB/s、三星Galaxy S7為 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge並列 208.69MB/s。

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iPhone 6s之所以這麼快(相較於iPhone 6),是因為蘋果改變了記憶體的處理方式。根據AnandTech的詳細所述,蘋果選用了在MacBook SSD上創下驚人速度的主控IC,在將之改造後塞進了智慧手機中。

此外,報導還提到iPhone 6s採用了客製NANDFlash和NVMe協議,而不是UFS或傳統的eMMC。 iPad Pro、iPhone SE等2015款機型,也都使用了相同的存儲類型。

在測試中,蘋果的存儲解決方案,輕鬆擊敗了搭載UFS 2.0Flash的Galaxy S6系列,即使後者已經算是相當快了。

【補充】2月份的時候,三星宣布其UFS 2.0技術變得更快、容量也提升到了256GB —— 順序讀取可達850MB/s、持續寫入也有260MB/s。

遺憾的是,在AnandTech的測試中,該公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都沒能打破iPhone 6s創下的記錄。

在本週舉辦的“2016行動與物聯網論壇”上,三星提到了UFS存儲對於4K/8K/VR內容的意義。 Cho Hee-chang預計,到2020年的時候,聯網設備數量會達到500億左右。

Galaxy S和Galaxy Note等產品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1內置存儲(其理論速度可達1.2GB/s),將於2018上半年提升至2.4GB/s。

此外,三星還希望將UFS card v1.0(最新的microSD外置存儲產品)的速度翻倍,從之前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。

[編譯自:BGR , 來源:Business Korea]

翻譯:cnbeta.com

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