史丹佛大學宣布相變記憶體研究新突破:可比傳統DRAM快千倍

史丹佛大學宣布相變記憶體研究新突破:可比傳統DRAM快千倍

全球研究者們對相變記憶體(PCM)領域投入了大量的時間和興趣,而史丹佛大學剛剛實現了一個新的突破。相變是指在兩種物理狀態之間進行遷移——即低阻的晶態和高阻抗的非晶態。

雖然它已經在當前的存儲技術領域展現出了諸多的優勢,但仍然不夠完美。正如Extreme Tech所指,業內尚未解決的一大問題,就是LATENCY延遲。過去30年來,記憶體時鐘速率已經極大地增加,但latency延遲方面的改進卻乏善可陳。

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領導這項研究的史丹佛材料科學與工程系副教授Aaron Lindenberg,著重關注了PCM的相變轉變速度有多快。更重要的是,他們能否更好地利用這一速度。而他們的發現,對PCM的未來發展尤為重要。

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為PCM施加0.5THz的電脈衝(每次5皮秒/ 1皮秒=百億分之一秒),就可以產生可測量的結晶纖維(理論上可用於存儲數據),這一切發生於大量材料仍處於非晶態的時候。

當然,最重要的是——這些細絲是以微微秒的速度生成的。考慮到傳統動態隨機存取器(DRAM)的奈秒級運行速度,PCM能夠比它快上千倍。

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在投入實際使用之前,我們仍有許多難關需要克服。文章指出,當前主板上遠未能部署THz級別的脈衝,因其信號無法在當前PCB那麼薄的印刷銅線上很好地工作。

此外,多年來的情況表明,記憶體行業的價格太難以捉摸,而廠商多希望在一項新技術上長期受益,但這很大程度影響了新產品的普及。

[編譯自:TechSpot , 來源:Stanford News]

翻譯:cnbeta.com

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