首次探秘三星48層3D Flash

首次探秘三星48層3D Flash

從CPU到GPU,從記憶體到顯示卡記憶體再到 Flash,各種晶片都在用3D堆疊製程,而堆疊最狠的,絕對是三星電子的3D V-NAND Flash。

TechInsights最近拆解了三星最新的48層3D V-NAND。

拆解對象是三星最新的行動固態硬碟T3 2TB,應用了2015年8月份發布的3D V-NAND TLC Flash顆粒,每個Die的容量為256Gb(32GB),編號“K9AFGY8S0M”。

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這塊硬碟PCB的正反面安裝了四顆 Flash晶片,編號“K9DUB8S7M”,每顆容量512GB,內部封裝了16個我們想要探索的48層堆疊3D V-NAND Die。

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16顆 Die相互堆疊以及採用傳統線鍵合技術連接的封裝橫截面。這些 Die的厚度只有40微米,是迄今所見封裝中最薄的,相比之下三星上代32層堆疊3D V-NAND中的 Die厚度約為110微米。

另外,AMD R9 Fury X顯卡所用海力士HBM顯示卡記憶體的 Die厚度約為50微米,三星TSV DDR4 DRAM Die的厚度約為55微米。

40微米,可能已經逼近300 mm晶圓無需使用承載晶圓(carrier wafer)所能實現的最薄極限了。

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單獨的一個256Gb Die,包括兩個5.9×5.9 mm的 FlashBank,存儲密度約為每平方 mm2600MB,而這還是21奈米製程實現的,相比之下三星16奈米製程平面型NAND Flash的密度只有每平方 mm 740MB。

 

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這是 Flash陣列部分的SEM(掃描式電子顯微鏡)橫截面,可以看到其中有55個閘極層,包括48個NAND單元層、4個虛擬閘極、2個SSL、1個GSL。

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這是V-NAND頂部的更高倍數放大圖

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作為對比的三星32層V-NAND TEM(隧道電子掃描顯微鏡)橫截面

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V-NAND串聯TEM平面圖,可看到多個環形的分層

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三星16奈米平面型NAND Flash陣列

via:Techinsights

出處:cnbeta.com

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