三星開發出第一個基於10奈米 FinFET製程的SRAM

三星開發出第一個基於10奈米 FinFET製程的SRAM

據韓國媒體報導,三星電子已經開發出了全球第一個基於10奈米 FinFET製程的SRAM,而這是一種新製程走向成熟的最關鍵一步。相比之下,Intel、台積電分別還停留在14奈米、16奈米。 SRAM即靜態隨機存取存儲器,比我們常見的DRAM(動態隨機存取存儲器)更快,常用於CPUCache等,也是研發測試新製程的必經前提步驟。

三星在主板提交到ISSCC 2016國際固態電路大會(2016年1月31日開幕)的一篇論文中透露,三星10奈米 SRAM的容量為128MB,單元面積僅0.040平方微米,比起自家14奈米 SRAM(0.064平方微米)縮小了多達37.5%。

三星強調說,新製程在盡可能小的面積裡實現了大容量Cache,預計可大大縮小14奈米手機處理器的面積,並提升性能。

一位業內人士評論說:“三星在全世界第一個、也是唯一一個宣布搞定了10奈米 SRAM。三星將以比Intel更快的速度量產10奈米。”

由於製造成本的問題,Intel 10奈米製程已經推遲到2017年,而三星計劃在2016年底實現10奈米的商業化,正好趕上後年初的Galaxy S8。

台積電則宣布會在2016年底試產10奈米,量產則要到2017年上半年。

另外,三星還開發了14奈米製程平面型NAND Flash,同樣也是業界第一和唯一,浮動柵極面積可比16奈米縮小大約1​​2.5%。東芝、美光等在15/16奈米之後,將放棄平面型Flash製程。

出處:快科技
作者:上方文Q

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